傳臺積電計劃在美國建第二座新廠 擬切入3納米制程

集微網報道 近日，據鉅亨網消息，臺積電近期傳出將展开評估在美投資興建第二座晶圓廠，擬切入 3 納米制程，建廠時程約 2 年後。對此，臺積電8月19日表示，不回應市場傳聞。

此前，臺積電美國亞利桑那州 5 納米新廠，已於7月底上梁，預計一期於2024年量產，第一期月產能2萬片。

不過，由於臺積電亞利桑那州廠土地面積廣大，佔地約445公頃，先前就多次傳出，臺積電將擴大亞利桑那州投資計劃，預計建6座晶圓廠。

臺積電總裁魏哲家去年也曾說，臺積電已在亞利桑那州取得大範圍土地，以維持彈性，進一步擴建是有可能的，但首要任務是使第一期廠房順利量產，接着根據營運效率、成本效益，及客戶需求來決定下一步計劃。

據了解，臺積電的3nm工藝仍將採用FinFET晶體管的結構，而三星的3nm節點採用GAA晶體管架構。三星甚至領先於臺積電，將3nm工藝技術轉向量產。

消息人士指出，AMD、蘋果、博通、英特爾、聯發科、英偉達和高通等廠商均已向臺積電下達3nm芯片訂單。但三星的3nm GAA工藝尚未吸引主要芯片供應商的訂單。

（校對/李杭森）